孙凤云，女，汉族，中共党员，博士，副教授

教育经历

2000-2004 济南大学本科

2004-2007 天津大学硕士

2007-2010 天津大学博士

工作经历

2010-2014 黑龙江大学 讲师

2014-2023 黑龙江大学 副教授、硕士生导师

2023-至今 中国石油大学（北京）克拉玛依校区 副教授

讲授课程

1.工程力学

研究方向

1.纳米材料

2.气敏传感器

科研项目

1. 氧化钨基异质结构的制备及气敏性能，黑龙江省省属高等学校基本科研业务费资助项目，2021.1-2022.12，主持;

2. 氧化钨纳米线的可控制备及气敏性能研究，黑龙江省自然科学基金项目， 2013.01 - 2015.12，主持;

3. 纳米 WO₃/多孔硅复合结构气敏元件的研究，黑龙江省教育厅项目，2011.01 -2013.12，主持;

4. 基于Pt/TiO₂-x/TiO₂/TiO_2+x/Pt 结构忆阻器的新型非易失性存储器电路设计与实现，国家自然科学基金项目(青年)，2013.12-2015.12，参与;

5. 基于电子效应的 D-A 型复合薄膜非易失型阻变存储器制备及性能研究，黑龙江省自然科学基金委员会联合引导项目，2019.07-2022.07，参与;

6. 低功耗高性能多孔硅基底 WO₃ 基薄膜气敏传感器研究，国家自然科学基金项目，2008.01-2010.12，参与。

代表性论文

1. 郭峰旗，孙凤云，张恩诚，陆佳梁，梁衍宇Ag 掺杂 CuO 微米管制备及气敏性能测试, 分析试验室，2023，https://doi.org/10.13595/j.cnki.issn1000-0720.2023.010701

2. 郭峰旗，孙凤云*. CuO纳米块的制备及其对正丙醇的气敏性能研究，中国陶瓷，2022，58(3):39-44.

3. 冯秀，孙凤云*，孙陆洋. 基于WO3纳米材料的乙醇气体传感器, 黑龙江大学自然科学学报，2022，39(6):673-678.

主要成果（专利及奖励等）

1. 孙凤云. 一种三氧化钨薄膜气敏传感器，专利号:ZL201720513105.6，授权时间:2018.4.13.

联系方式

E-mail：sunfengyun@cupk.edu.cn

办公电话：0990-6633330